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标准分子束外延系统


■ 腔体由无磁304不锈钢制成;
■ 配有三级超高真空泵组,真空度可达1e-10 mbar;
■ 可安装多台蒸发源,用以实现多源共蒸生长
■ 可用于生长II-VI、III-V, IV-IV族化合物、磁性材料,拓扑绝缘体等前沿材料。;
■ 能实现原子级平整薄膜的沉积,并配合RHEED监控精确控制沉积层数;
■ 样品架可实现77K~1200K大范围变温,可以原位观测样品的相变情况;
■ 易与其他超高真空设备互联,以实现原位表征;
■ 样品尺寸:10*10mm2旗形样品托(其他形状可定制)。





       分子束外延(MBE)系统是表面物理与界面工程中最常用的系统之一,制备的薄膜能达到原子级平整。
       MBE的原理是对原料加热使其升华,在超高真空中不与气体分子散射直接沉积在衬底表面并重新组装实现外延生长,这也是它能达到原子级平整的主要原因。我们的腔体无磁304不锈钢制成,保证了其极低的漏率,配合超高真空三级真空泵组能将腔内真空度维持在1e-10mbar以上。特制的变温样品台可以实现30~1200 ℃大范围变温,并且能够定制液氮降温功能,可以满足各种样品生长的需求(详见变温样品台)。
       系统腔体可以同时安装多个蒸发源(对准同一个生长位置)。由此可以实现多源共蒸生长,掺杂,甚至AB膜逐层生长。本系统配有反射式高能电子衍射仪(RHEED)。它是一种表面敏感的探测手段,实验中经常被用来监控薄膜生长情况,并用以精确调控样品的层数。








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