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热蒸发源

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 加热范围集中,并配有一体化水冷罩保护真空;

 工作温度:200~1350℃;

 配合PID控温电源可以精确调节生长速率;

 可以生长原子级平整薄膜,配合RHEED监控可以精确控制样品层数;

 配有程控shutter以实现多种生长方式;

 拥有超高的加热效率(P<100W)。

                                                                                               
        热蒸发源是基于分子束外延(MBE)技术开发的一种能制备各类原子级平整的单层或多层薄膜,并实现精确调控的超高真空设备。
        这款热蒸发源通过灯丝辐射来加热坩埚中的样品,温度范围可达200~1350℃。配合带有PID功能的程控电源可以精确调节生长速率。水冷罩采用一体式设计,在保证加热效果的同时最大限度地限制了被加热区域。这使得它在工作时对真空度的影响微乎其微。MBE技术几乎适用于绝大多数材料,左侧表中列出了适用热蒸发源的常用材料、生长参数和推荐使用的坩埚材料。









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