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电子束蒸发源

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 加热范围集中,配有一体化水冷罩保护真空;

 工作温度:800~3000℃;

 配有PID电源稳定束流;

 可实时监测生长束流;

 配合RHEED监控可以精确控制样品层数;

 配有程控shutter以实现多种生长方式;

 超高的加热效率(P<100W)。


        电子束蒸发源是基于分子束外延(MBE)技术开发的一种能制备各类原子级平整的单层或多层薄膜并精确调控的超高真空设备。
        这款热蒸发源通过电子束轰击的方式来加热坩埚中的样品,温度范围可达800~3000℃。配合带有PID功能的程控电源可以精确调控生长速率。水冷罩采用一体式设计,在保证加热效果的同时最大限度地限制了被加热区域。这使得它在工作时对真空度的影响微乎其微。电子束轰击的方式更适宜直接对原材料加热,因此我们更推荐选用棒材。但某些蒸发温度过熔点的原料除外,这时我们会用到坩埚。但需要注意的是高温下某些原料会与坩埚反应。左侧列表中给出了适合电子束蒸发源的常用材料及推荐坩埚。












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