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分子束外延生长系统

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标准分子束外延系统

分子束外延需要在高真空或超高真空的环境中进行。其显著特点是低沉积率,通常使薄膜以每分钟0.1到1纳米的速度外延生长,从而实现高质量的薄膜生长。分子束外延中,通常使用电子束加热源或者热灯丝加热源,前者可实现最高3000°C的蒸发温度,后者结构简单,温度稳定,常用于普通金属或者半导体材料。计算机能控制每一个蒸发源的挡板开关从而实现诸如多层异质膜结构的生长,其精确度可以达到单层原子。

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