标准热蒸发源-真空组件-埃频（上海）仪器科技有限公司

工作温度：300~1350℃；
可以升级程控挡板以实现多种生长方式；
超高真空兼容
温度和束流稳定性高，配合程控电源可以精确调节生长速率；
集成一体化水冷罩和挡板；

标准热蒸发源

标准热蒸发源尺寸图

分子束外延（MBE）是一种在晶体基片上外延生长高质量晶体薄膜的薄膜制备方法。由于成膜质量好，控制精度高，它已经被广泛的用于表面物理研究，半导体工艺，材料研究等方面。

标准热蒸发源是MBE设备中最常用的生长源炉，他通过辐射加热的原理加热放置在坩埚中的靶材，主要用于生长各种金属，半导体，有机物，化合物等。

①	双灯丝热蒸发源含有两套加热灯丝（分别安装与坩埚埚身与坩埚口），分别由不同的直流电源控制。这使得它能够控制坩埚口与坩埚埚身的温度，可以实现冷唇、热唇等多种沉积方式，适配各种不同性质的材料。
②	冷唇热蒸发源是简化版的双灯丝热蒸发源，生长时坩埚口的温度略低于坩埚本身，主要用来生长Ⅲ族金属（特别是金属Al）。相比于双灯丝热蒸发源其主要优势是仅需一套直流电源即可工作，操作更加简便。
③	热唇热蒸发源是简化版的双灯丝热蒸发源，生长时坩埚口的温度略高于坩埚本身，主要用来生长Se，Bi等易在坩埚口冷凝的材料。相比于双灯丝热蒸发源其主要优势是仅需一套直流电源即可工作，操作更加简便。

测试条件：
    蒸发源中无坩埚
    蒸发源挡板关闭
    冷却水温度18℃
    室温约18℃

* 其他非标蒸发源包括真空中长度，坩埚尺寸，安装法兰大小，挡板工作模式等均可定制。

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