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热蒸发源程控电源
在各类超高真空二维薄膜生长过程中,温度的稳定性都直接关系到了实验的可靠性与可重复性。同时对于某些需要特定升降温曲线的材料...
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电子束蒸发源
热灯丝产生的电子束经电场加速后轰击到靶材上使材料受热蒸发,具有受热集中、加热效率高的特点,特别适用于生长较难...
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MBE四维样品台
MBE四维样品台可以实现对样品的精确x,y,z三维平移以及轴向的转动,方便传样、RHEED监控、氩刻等操作。样...
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标准热蒸发源
分子束外延(MBE)是一种在晶体基片上外延生长高质量晶体薄膜的薄膜制备方法。由于成膜质量好,控制精度高,它已经被广泛的用于表面物理研究,半导体工艺,材料研究等方面。 标准热蒸发源是M...
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PLD五维样品台
PLD五维样品台专为氧化物PLD系统设计,氧氛围加热样品台可以在10Pa的氧压下配合红外激光器将样品架加热至1000℃,...
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PLD标准靶台
激光分子束外延(PLD)利用紫外脉冲激光轰击生长原料(靶材)以实现真空镀膜。PLD标准靶台即是这一过程中盛放原料(靶材)...
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磁控旋转加热样品台
磁控旋转加热样品台主要用于在磁控溅射时对样品托的控温,样品架背后的灯丝可以实现样品从室温~700℃的大范围均匀变温。整个...
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分子束外延系统
分子束外延(MBE)是一种在晶体基片上生长高质量的晶体薄膜的新技术。在超高真空条件下,由装有各种所需组分的炉...
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无液氦扫描隧道显微镜系统
扫描隧道显微镜(STM)具有实空间的原子分辨率和动量空间的高精度能量分辨率,并可在各种极端条件下工作(低温,...
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线性移动组件
线性移动组件能实现高精度真空部件线性位移,其位移精度可达0.1mm,两端通过标准法兰连接真空部件与真空腔体,...
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埃频小课堂——热蒸发源 · 原料更换及使用指南
标准热蒸发源是MBE设备中最常用的生长源炉,它能够生长多种材料。由于成膜质量好,控制精度高,它已经被广泛的用于表面物理研究,半导体工艺,材料研究等方面。配合热蒸发源程控电源,可以实现温度的自动稳定与预设温度路径追踪,以实现多种生长方式。对于热蒸发源及程控电源的换料操作和使用方法,我们以视频的形式给出了操作流程以及注...
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埃频小课堂——电子束蒸发源 · 原料更换指南
电子束蒸发源是分子束外延生长中常用的一款加热源,它具有受热集中、加热效率高的特点,特别适用于生长较难蒸发的低蒸汽压材料。对于电子束蒸发源的换料操作,我们以视频的形式给出了操作流程以及注意事项换料操作注意事项:1.选择棒材作为原料时应注意:(1)原料能否制成棒材(2)原料目标饱和蒸汽压对应的温度是否低于其熔点2.坩埚...
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