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标准热蒸发源

分子束外延（MBE）是一种在晶体基片上外延生长高质量晶体薄膜的薄膜制备方法。由于成膜质量好，控制精度高，它已经被广泛的用于表面物理研究，半导体工艺，材料研究等方面。

标准热蒸发源是MBE设备中最常用的生长源炉，他通过辐射加热的原理加热放置在坩埚中的靶材，主要用于生长各种金属，半导体，有机物，化合物等。

低温热蒸发源

传统热蒸发源在近室温范围内往往会出现升温过快，降温过慢以及坩埚温度不均匀等问题，很难精确控制生长温度。

低温热蒸发源选用导热良好的石英坩埚，坩埚通过液态金属与导热性能优良的铜相连，在热源和冷源的共同作用下，实现稳定准确地控温。

MBE五维变温样品台

MBE五维样品台可以实现对样品的精确X，Y，Z三维平移以及轴向的转动，方便传样、RHEED监控、氩刻等操作。样品台通过液氮开循环制冷，最低温度可达150K。相比于MBE四维样品台，五维样品台多了一个调节维度，这使得样品台在调节的过程中有更多的自由度进行调节，方便实验，比如在使用RHEED时可以很方便的寻找到样品的高对称方向，以达到精确监控样品层数，确定晶格结构等功能。

PLD五维样品台

PLD五维样品台专为氧化物PLD系统设计，氧氛围加热样品台可以在10Pa的氧压下配合红外激光器将样品架加热至1000℃，能满足绝大部分氧化物生长需求。样品台拥有五维自由度，其中XY行程25mm，位移精度3um，Z方向行程100mm，精度0.5mm。且能实现绕轴360°旋转与面内360°旋转，这使得五维样品台在进行RHEED监控时可以很方便的通过连续转动样品找到高对称点，这对高质量的单晶薄膜生长与表征是非常重要的。

PLD标准靶台

激光分子束外延（PLD）利用紫外脉冲激光轰击生长原料（靶材）以实现真空镀膜。PLD标准靶台即是这一过程中盛放原料（靶材）的真空部件，它可以同时安装6个原料靶，每个靶台均有分隔板与保护板，可以实现程控靶位切换，配合机械手可真空原位更换靶材。程控靶自转和一维往复运动，可以提高靶材的利用率。配合准分子激光三轴联动扫描，可以提高薄膜的均匀性，实现大面积均匀薄膜样品的制备。

磁控旋转加热样品台

磁控旋转加热样品台主要用于在磁控溅射时对样品托的控温，样品架背后的灯丝可以实现样品从室温~700℃的大范围均匀变温。整个加热样品台可以实现由电机控制的绕轴旋转，使得生长更加均匀。此外，样品台和加热器可以整体升降，同时也可以调节两者之间的相对距离以满足特殊的生长需求。

电子束蒸发源

热灯丝产生的电子束经电场加速后轰击到靶材上使材料受热蒸发，具有受热集中、加热效率高的特点，特别适用于生长较难蒸发的低蒸汽压材料。该型号的电子束蒸发源可以实现非常精确的生长控制，主要用于表面物理研究中生长少层或者低维薄膜。

MBE四维样品台

MBE四维样品台可以实现对样品的精确x，y，z三维平移以及轴向的转动，方便传样、RHEED监控、氩刻等操作。样品台通过液氮开循环制冷，最低温度可达150K。
样品台集成了热辐射、支流加热与电子束轰击三种加热方式，最高温度可达1500K，可用热偶与红外（需另配组件）测温。配合程控电源可实现对温度的精确控制以及程序化的升 / 降温过程。

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